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AMC监测
2025-03-07 15:56  浏览:36
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品牌:AMC监测
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猎户座 3100S

AMC空气分子污染物监测系统

一、AMC空气分子污染物监测系统 3100S产品介绍:

1、实践证明深紫外光刻工艺深受多种类微量污染物的影响,对很多微量污染物极为敏感,比如氨气或者酸性气体都会给半导体生产带来较大的危害,尽管随着深紫外耐腐蚀材料技术的发展,已经减少了长时间持续实时监测,而实际上空气分子污染(AMC)的实时测量对产品质量的好坏至关重要。

2、猎户座3100S系列空气分子污染物监测系统基于CEAS(腔增强吸收光谱)技术连续分析仪器,将增加半导体器件阻抗一致性、保证更长的过滤器寿命、减少生产过程的停工时间。

3、ETG HMI(人机交互界面)软件可以实时观察、实时测量、实时操作对不同空间不同位置的NH3、HCL、HF进行分析,软件专门针对半导体行业开发,对于深紫外光刻工艺过程中监测与控制空气分子污染(AMC)提供有力的支持,软件集成了多点采样(MS)控制功能,具有实时显示数据曲线、报警、存储、趋势、历史曲线、分析等功能。

二、AMC在线监测 猎户座 3100S 系统介绍:

1、实时监测空气分子污染(AMC)对于半导体生产过程极为重要。

2、快速监测、报警、极低浓度测量、宽测量区域、多气体的高灵敏响应等是半导体工业要求之一。

3、深紫外光刻工艺特别关注氨、胺类、N-甲基吡咯烷酮NMP、酸类等浓度测量,当这些气体与化学放大光刻胶反生反应时,将深深的影响半导体器件质量。

4、传统古老的方法多采用间接测量分析方法。包括撞击滤尘器、离子色谱、化学荧光法,这些方法分析速度太慢,操作过程太复杂,昂贵并且测量结果不准确。

5、ETG采用被证明的CEAS(腔增强吸收光谱)技术解决AMC(空气分子污染物)监测难题,可快速测量痕量级NH3、HCL、HF,采用脉冲荧光法测量SO2,采用增强型GC-FID测量VOCs。

6、猎户座 3100S系列空气分子污染物监测系统测量痕量级NH3、HCL、HF并集成了uVOC-CAM特性,是半导体行业洁净室AMC(空气分子污染)测量的有力工具。

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